ترابرد در دیودهای تونل زنی تشدیدی نقطه کوانتومی
نویسندگان
چکیده
در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، یک دیود تونل زنی تشدیدی را شبیه سازی نموده ایم. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می توان در محاسبه جریان تاریک سلول های خورشیدی استفاده نمود. برای این منظور ابتدا هامیلتونی دستگاه را در تقریب تنگابست نوشته و تابع گرین را برای آن محاسبه کردیم. سپس با استفاده از مؤلفه های تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت ها و چگالی جریان را به دست آوردیم. نتایج نشان می دهند به دلیل وجود یک میدان الکتریکی طولی، چگالی محلی حالت ها متناسب با پتانسیل اعمال شده تغییر می کند. مشخصه جریان- ولتاژ دستگاه نیز نشان دهنده وجود رفتار غیر اهمی در دستگاه دیود تونل زنی تشدیدی است. همچنین با وارد نمودن نقاط کوانتومی، مقاومت دیفرانسیلی منفی قابل مشاهده است. این مقاومت ناشی از پدیده تونل زنی تشدیدی است.
منابع مشابه
ترابرد در دیودهای تونلزنی تشدیدی نقطه کوانتومی
در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، یک دیود تونلزنی تشدیدی را شبیه‌سازی نموده‌ایم. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می‌توان در محاسبه جریان تاریک سلول‌های خورشیدی استفاده نمود. برای این منظور ابتدا هامیلتونی دستگاه را در تقریب تنگابست نوشته و تابع گرین را برای آن محاسبه کردیم. سپس با استفاده از مؤلفههای تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت‌ها و چگالی جریان را به دست آوردیم. نتایج...
متن کاملترابرد در دیودهای تونلزنی تشدیدی نقطه کوانتومی در رژیم غیربرهم‌کنشی
In this paper, we used green's function approach in microscopic theory to investigate a resonant tunneling diode (RTD). We introduced the detailed Hamiltonian for each part of the photovoltaic p-i-n system, then by calculating the green's function components in tight-binding approximation, we calculate local density of states and current-voltage characteristic of the p-i-n structure. Our result...
متن کاملاثر تونل زنی تزریقی بر پاسخ مدولاسیون لیزرهای نقطه کوانتومی
In this paper, modulation bandwidth characteristics of InGaAs/GaAs quantum dot (QD) laser were theoretically investigated. Simulation was done by using the fourth order Runge-Kutta method. Effect of carrier relaxation life time, temperature and current density on characteristics of tunneling injection QD laser (TIL) and conventional QD laser (CL) were analyzed. Results showed that tunneling inj...
متن کاملاثر تونل زنی تزریقی بر پاسخ مدولاسیون لیزرهای نقطه کوانتومی
در این مقاله مشخصه های پهنای نوار مدولاسیون لیزر نقطه کوانتومی ingaas/gaas به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است. شبیه سازی ها با استفاده از روش رانگ کوتا مرتبه چهارم انجام گرفته است. اثر طول عمر واهلش حامل ها، دما، چگالی جریان بر مشخصه های لیزر های نیمه رسانای نقطه کوانتومی تزریق تونلی (til)1 و بدون تزریق تونلی (cl)2 بررسی شده اند. نتایج نشان می دهند که تزریق تونلی در لیزر های نقطه کوانتومی م...
متن کاملاثرات ناهمواری فصل مشترک بر روی ضریب عبوردهی در دیودهای تونل زنی تشدیدی مغناطیسی
در این مقاله اثر ناهمواری فصل مشترک بر روی عبوردهی الکتریکی وابسته به اسپین در یک اتصال تونلزنی مغناطیسی بررسی میشود. در محاسبات از روش ماتریس انتقال و تقریب جرم مؤثر برای محاسبۀ احتمال عبور استفاده شده است. ساختار مغناطیسی دو سدی مذکور شامل دو نیم رسانای فرومغناطیسی جدا شده با یک لایۀ غیرمغناطیسی است که به دو الکترود فلز غیرمغناطیسی متصل هستند. مؤلفههای مختلف احتمال عبوردهی وابسته به اسپی...
متن کاملشبیه سازی ترابرد کوانتومی در قطعات تونل زنی تشدیدی با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی
در این پایان نامه، ما ترابرد الکترون درون یک دیود تونل زنی تشدیدی متشکل از چاه کوانتومی از جنس gaas و سدهایی از جنس algaas را مطالعه می کنیم. در قطعات نیمرسانای در مقیاس نانو، اثرات کوانتومی در پدیده های ترابرداهمیت بسیار زیادی پیدا می کنند. صرفنظر از سیستم تحت بررسی، معادله بولتزمان نیمه کلاسیک تقریب مناسبی نمی باشد و یک رهیافت کوانتومی مورد نیاز است. در بین فرمول بندی های کوانتومی توسعه یافته...
منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
پژوهش سیستم های بس ذره ایجلد ۶، شماره ویژه نامه شماره ۲، صفحات ۲۱-۲۵
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023